Ir al contenido

Syscom Parts MRF-1517-T1 Transistor de RF FET Canal N 8 W 520 MHz

Codigo: MRF-1517-T1
https://dcrsoluciones.com/shop/mrf-1517-t1-syscom-parts-mrf-1517-t1-transistor-de-rf-fet-canal-n-8-w-520-mhz-7972 https://dcrsoluciones.com/web/image/product.template/7972/image_1920?unique=5d85c4c
  • Alta ganancia de potencia de 11 dB
  • Eficiencia del 55% en operación RF
  • Operación estable hasta 520 MHz
  • Excelente estabilidad térmica integrada
  • Soporta VSWR 20:1 en condiciones extremas
  • Encapsulado SMD para montaje superficial

$ 1,053.08 1053.08 MXN $ 1,053.08

$ 907.83

Not Available For Sale

  • Marca

Esta combinación no existe.

  • Partner Fortinet
  • Factura CFDI 4.0
  • Pago seguro con Mercado Pago
  • Precios en pesos mexicanos
  • Compruébalo
Envío GRATIS a toda la República. Tu pedido sale el siguiente día hábil. Pedidos de lunes a viernes de 8:00 a 17:00 hrs (hora de la CDMX).
3 años de garantía Factura CFDI Producto original

Documentación

Transistor de RF tipo N de alta potencia diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7.5 voltios. Ofrece potencia de salida de 8 watts con ganancia de potencia de 11 dB y eficiencia del 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie, presenta excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de VSWR 20:1. Su encapsulado de plástico SMD permite montaje superficial optimizado para producción en serie.

Características principales

  • Transistor RF tipo N de alta potencia
  • Frecuencia máxima de operación: 520 MHz
  • Potencia de salida: 8 W
  • Voltaje de operación: 7.5 Vcc
  • Ganancia de potencia: 11 dB
  • Eficiencia en RF: 55%
  • Diseño SMD para montaje superficial
  • Excelente estabilidad térmica
  • Manejo de VSWR 20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
  • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie

Especificaciones técnicas

Tipo de dispositivo
Transistor RF FET Canal N
Frecuencia máxima
520 MHz
Potencia de salida
8 W
Voltaje de operación
7.5 Vcc
Ganancia de potencia
11 dB
Eficiencia RF
55%
Tipo de encapsulado
SMD (montaje superficial)
Manejo VSWR
20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB sobremodulación
Caracterización
Parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie
Estabilidad
Excelente estabilidad térmica

Aplicaciones típicas

  • Amplificadores de fuente común de gran señal
  • Equipos FM portátiles de 7.5 V
  • Aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha
  • Sistemas de comunicación en frecuencias hasta 520 MHz


Marca Syscom Parts
Aceptamos pago con Mercado Pago en todos nuestros productos, excepto en los equipos Fortinet, que se pagan por transferencia bancaria.