Syscom IRF9Z30 Transistor MOSFET Canal P 50 V 18 A 0.14 Ω 74 W
Codigo:
IRF9Z30
- Montaje through-hole en PCB estándar
- Rango operativo -55°C a 150°C de unión
- Carga de compuerta 39 nC para conmutación eficiente
- Capacitancia de entrada 900 pF controlada
- Voltaje de compuerta ±20 V para protección robusta
- Encapsulado TO-220AB con disipación térmica optimizada
- Partner Fortinet
- Factura CFDI 4.0
- Pago seguro con Mercado Pago
- Precios en pesos mexicanos
- Compruébalo
¡Solo quedan 5 piezas!
Existencia al 14/11/2026.
Envío GRATIS en compras desde $600.
En compras menores, el envío completa los $600 (mínimo $99): con este producto solo, $501.67.
Tu pedido sale el siguiente día hábil.
Pedidos de lunes a viernes de 8:00 a 17:00 hrs (hora de la CDMX).
3 años de garantía
Factura CFDI
Producto original
Documentación
Transistor de potencia MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 Ω que minimiza las pérdidas por conducción, permitiendo operación eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integración en diseños de PCB through-hole con disipación térmica directa, resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos.
Características principales
- MOSFET canal P con tecnología de óxido metálico
- Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 50 V
- Corriente continua de drenaje: 18 A @ 25°C
- Resistencia RDS(on) máxima: 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
- Disipación de potencia máxima: 74 W
- Capacitancia de entrada (Ciss): 900 pF @ 25 V
- Carga de compuerta (Qg): 39 nC @ 10 V
- Voltaje umbral VGS(th): 4 V máx. @ 250 µA
- Voltaje compuerta-fuente máximo: ±20 V
- Rango de temperatura de unión: -55°C ~ 150°C
- Montaje: Through hole, encapsulado TO-220AB
Especificaciones técnicas
Tipo de FET
P-Channel MOSFET
VDSS
50 V
ID @ 25°C
18 A (TC)
RDS(on) máx.
140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
Voltaje de drive
10 V (máx. RDS on, mín. RDS on)
VGS(th) máx.
4 V @ 250 µA
Qg máx. @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS máx.
±20 V
Ciss máx. @ VDS
900 pF @ 25 V
Disipación máx.
74 W (TC)
Temperatura operación
-55°C ~ 150°C (TJ)
Encapsulado
TO-220AB, Through hole
| Marca | Syscom |
Aceptamos pago con Mercado Pago en todos nuestros productos, excepto en
los equipos Fortinet, que se pagan por transferencia bancaria.