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Syscom Parts 2SC-3320 Transistor de Potencia NPN 500 V 15 A 80 W

Syscom Parts 2SC-3320 Transistor de Potencia NPN 500 V 15 A 80 W

Codigo: 2SC-3320
https://dcrsoluciones.com/shop/2sc-3320-syscom-parts-2sc-3320-transistor-de-potencia-npn-500-v-15-a-80-w-7919 https://dcrsoluciones.com/web/image/product.template/7919/image_1920?unique=44ae790
  • Silicio para alta potencia y eficiencia térmica
  • Baja caída de saturación de 1.0 V para menor pérdida
  • Apto para reguladores de switcheo e inversores
  • Compatible con generadores ultrasónicos de alta frecuencia
  • Empaque TO-3PM para montaje confiable y disipación
  • Amplificadores de potencia de uso general

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Documentación

2SC3320 Spec Sheet 2SC3451.PDF

Transistor de Potencia NPN en Silicio

Este transistor NPN de silicio está diseñado para aplicaciones de alta potencia que demandan control eficiente de corriente y voltaje. Su arquitectura permite manejar hasta 15 A de corriente de colector con una disipación térmica de 80 W, manteniendo una baja caída de voltaje en saturación de 1.0 V que minimiza las pérdidas energéticas. El encapsulado TO-3PM garantiza una instalación robusta y una disipación de calor óptima en entornos industriales. Es ideal para sistemas de conmutación, inversores de alta frecuencia, generadores ultrasónicos y etapas de amplificación de potencia.

Características Principales

  • Transistor NPN de silicio para alta potencia
  • Voltaje colector-base (VCBO) hasta 500 V
  • Corriente máxima de colector (IC) de 15 A
  • Disipación de potencia (PC) hasta 80 W
  • Baja caída de voltaje en saturación VCE(sat): 1.0 V
  • Encapsulado TO-3PM para alta confiabilidad térmica

Aplicaciones Típicas

  • Reguladores de switcheo (SMPS)
  • Inversores de alta frecuencia
  • Generadores ultrasónicos
  • Amplificadores de potencia de uso general

Especificaciones Técnicas

Voltaje Colector-Base
VCBO = 500 V
Voltaje Colector-Emisor
VCEO = 400 V
Voltaje Emisor-Base
VEBO = 7 V
Corriente de Colector
IC = 15 A
Disipación de Potencia
PC = 80 W
Tensión de Ruptura V(BR)CEO
400 V
Tensión de Ruptura V(BR)CBO
500 V
VCE(sat) Saturación
1.0 V (IC=6A, IB=1.2A)
VBE(sat) Saturación
1.5 V (IC=6A, IB=1.2A)
Corriente de Fuga ICBO
1.0 mA (VCB=500V, IE=0)
Encapsulado
TO-3PM


Marca Syscom Parts
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