Syscom 1N1184A Diodo de Silicio de Recuperación Estándar VRMS 70V
- Alta capacidad de sobrecarga de 595 A
- No sensitivo a descargas electrostáticas ESD
- Resistencia térmica de 0.25°C/W junto a carcaza
- Voltaje repetitivo de pico inverso de 100 V
- Corriente inversa de solo 10 μA a 25°C
- Encapsulado DO-5 con cátodo en base
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Documentación
Diodo de silicio de recuperación estándar diseñado para aplicaciones de potencia en fuentes de alimentación y sistemas de energía. Ofrece una corriente directa continua de 35 A con un voltaje directo de 1.2 V, optimizando la eficiencia en conversión de potencia. Su encapsulado DO-5 con cátodo en la base facilita la identificación y montaje correcto en circuitos de alta corriente. Opera en un rango térmico extendido de -55°C a +150°C, garantizando confiabilidad en condiciones ambientales exigentes.
Características Principales
- Alta capacidad de sobrecarga de 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
- No sensitivo a descargas electrostáticas (ESD)
- Resistencia térmica de 0.25°C/W (junto a carcaza)
- Voltaje repetitivo de pico inverso de 100 V
- Corriente inversa de 10 μA (VR = 50 V, TJ = 25°C)
- Encapsulado DO-5 (DO-203AB) con cátodo en base
Especificaciones Técnicas
Eléctricas
Voltaje repetitivo de pico inverso: 100 V
Voltaje inverso RMS: 70 V
Voltaje de bloqueo DC: 100 V
Corriente directa continua: 35 A
Corriente de sobrecarga: 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
Voltaje directo: 1.2 V (IF = 35 A, TJ = 25°C)
Corriente inversa: 10 μA (VR = 50 V, TJ = 25°C)
Térmicas y Mecánicas
Resistencia térmica (junto a carcaza): 0.25°C/W
Temperatura de operación: -55°C a +150°C
Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C
Encapsulado: DO-5 (DO-203AB)
Polaridad: Cátodo en base
Aplicaciones
Fuentes de alimentación, sistemas de energía, rectificación de potencia, protección de circuitos y equipos industriales que requieren alta capacidad de sobrecarga y operación confiable en amplios rangos térmicos.
| Marca | Syscom |